NT5AD512M16C4-HR vs NT5AD512M16C4-HRI Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5AD512M16C4-HR por Nanya Technology y NT5AD512M16C4-HRI por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HRI - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HRI ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | NT5AD512M16C4-HR | NT5AD512M16C4-HRI |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $43,10 | $45,94 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Velocidad de datos | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 3200 MT/s (H speed grade) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | — |
| Encapsulado | FBGA-96 (TFBGA) | 96-pin TFBGA |
| Número de pines | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Temperature Grade | — | Industrial (0°C to +95°C) |
| Latencia CAS | — | 22 |