NT5CB256M16CP-EK vs MT41K256M16RE-125:D Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5CB256M16CP-EK von Nanya Technology und MT41K256M16RE-125:D von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | NT5CB256M16CP-EK | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,90 | $4,19 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35V (1.425V to 1.575V) | 1.35 V |
| Datenrate | DDR3-2133 (CL14) | 1600 MT/s |
| CAS Latency (CL) | 9, 10, 11, 12, 13, 14 | — |
| WRITE Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Posted CAS Additive Latency | Programmable | — |
| Internal Banks | 8 (BA0-BA2) | — |
| Gehäuse | 96-ball TFBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Betriebstemperatur | Commercial: 0C to +95C; Industrial: -40C to +95C; Automotive: -40C to +95C | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Montageart | Surface Mount | — |
| CAS-Latenz | — | 11 |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |