NT5CB256M16CP-EK vs MT41K256M16RE-125:D 비교
다음의 상세 나란히 비교: NT5CB256M16CP-EK 제조: Nanya Technology 및 MT41K256M16RE-125:D 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | NT5CB256M16CP-EK | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.90 | $4.19 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4 Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 공급 전압 | 1.35V (1.425V to 1.575V) | 1.35 V |
| 데이터 속도 | DDR3-2133 (CL14) | 1600 MT/s |
| CAS Latency (CL) | 9, 10, 11, 12, 13, 14 | — |
| WRITE Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| Posted CAS Additive Latency | Programmable | — |
| Internal Banks | 8 (BA0-BA2) | — |
| 패키지 | 96-ball TFBGA | FBGA-96 (9x14 mm) |
| 동작 온도 | Commercial: 0C to +95C; Industrial: -40C to +95C; Automotive: -40C to +95C | 0C to +95C (TC) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| CAS 레이턴시 | — | 11 |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |