NT5CC256M16DP-DI vs IS43TR16256AL-125KBL Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16DP-DI von Nanya Technology und IS43TR16256AL-125KBL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ Aktiv
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter NT5CC256M16DP-DI IS43TR16256AL-125KBL
Marke Nanya Technology ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,50 $5,60
Speichertyp DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
Speicherorganisation 256M x 16 —
Versorgungsspannung 1.35V 1.35V (backward compatible to 1.5V)
Datenrate 1600 Mbps/pin (800MHz) 1600 Mbps
Gehäuse VFBGA-96 96-TWBGA (9x13mm)
Betriebstemperaturbereich -40°C to +95°C (industrial) —
CAS-Latenz 11, 12, 13 (programmable) —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Number of Banks 8 —
Schnittstelle Differential clock (CK, CK#) Parallel
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Speichergröße — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 20 ns
Montageart — Surface Mount
Betriebstemperatur — 0°C ~ 95°C
Memory Format — DRAM
Technology — SDRAM - DDR3L
RoHS-Status — Compliant
Number of Terminals — 96

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