NT5CC256M16DP-DI vs IS43TR16256AL-125KBL Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16DP-DI par Nanya Technology et IS43TR16256AL-125KBL par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ Actif
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre NT5CC256M16DP-DI IS43TR16256AL-125KBL
Marque Nanya Technology ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $6,50 $5,60
Type de mémoire DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
Organisation de la mémoire 256M x 16 —
Tension d'alimentation 1.35V 1.35V (backward compatible to 1.5V)
Débit de données 1600 Mbps/pin (800MHz) 1600 Mbps
Boîtier VFBGA-96 96-TWBGA (9x13mm)
Plage de température de fonctionnement -40°C to +95°C (industrial) —
Latence CAS 11, 12, 13 (programmable) —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Number of Banks 8 —
Interface Differential clock (CK, CK#) Parallel
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Taille de mémoire — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 20 ns
Type de montage — Surface Mount
Température de fonctionnement — 0°C ~ 95°C
Memory Format — DRAM
Technology — SDRAM - DDR3L
Statut RoHS — Compliant
Number of Terminals — 96

Fiches techniques et ressources

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