OPA828IDR vs OPA211ID Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von OPA828IDR von Texas Instruments und OPA211ID von Texas Instruments. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Texas Instruments
OPA211ID OPA211ID - 1.1nV/Hz Precision Op Amp 80MHz SOIC-8 | TI

OPA211ID - 1.1nV/Hz Precision Op Amp 80MHz SOIC-8 | TI

OPA211ID ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter OPA828IDR OPA211ID
Marke Texas Instruments Texas Instruments
Kategorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,75 $3,30
Amplifier Type JFET-input operational amplifier —
Number of Channels 1 —
Gain Bandwidth Product 45 MHz —
Slew Rate 150 V/us 20 V/us
Input Voltage Noise Density 4 nV/√Hz at 1 kHz —
Input Voltage Noise (0.1 Hz to 10 Hz) 60 nVRMS —
Input Bias Current 1 pA (typical) 60 nA
Input Offset Voltage 50 uV —
Input Offset Voltage Drift 0.45 uV/C —
Supply Voltage Range ±4 V to ±18 V (36 V total) [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Ausgangstyp Rail-to-rail output (RRO) Rail-to-Rail Output
Input Type MUX-friendly JFET inputs —
Gehäuse 8-SOIC (SO-8) 8-SOIC (D)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Predecessor Parts OPA627, OPA827 —
Rauschdichte — 1.1 nV/rtHz
Gain-Bandwidth Product — 80 MHz
Ruhestrom — 3.6 mA per amplifier
Offset Voltage — 50 uV typical
THD+N — 0.000015%
Stability — Unity-Gain Stable
Kanäle — 1
Betriebstemperatur — -40C to +125C
RoHS-Status — Compliant

Datenblätter & Ressourcen

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