TC58CYG2S0HRAIJ vs TC58CVG0S3HRAIJ Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von TC58CYG2S0HRAIJ von Kioxia und TC58CVG0S3HRAIJ von Kioxia. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Kioxia
TC58CYG2S0HRAIJ TC58CYG2S0HRAIJ - 4Gbit SLC NAND Flash SPI | Kioxia

TC58CYG2S0HRAIJ - 4Gbit SLC NAND Flash SPI | Kioxia

TC58CYG2S0HRAIJ ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter TC58CYG2S0HRAIJ TC58CVG0S3HRAIJ
Marke Kioxia Kioxia
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,18 $1,30
Speichertyp Non-volatile FLASH - NAND (SLC) Non-Volatile NAND Flash (SLC)
Memory Format SLC NAND —
Speichergröße 4 Gbit (512 MByte) 1 Gbit (128 MB)
Schnittstellentyp Serial SPI (Standard / Dual / Quad SPI) Serial SPI (also supports dual/quad SPI per datasheet)
Maximum SPI Clock Frequency 133 MHz —
Supply Voltage VCC 1.8 V (single supply) —
Page Size 4096 + 128 bytes (with internal ECC) 2048 + 64 bytes (data + spare)
Typical Page Read Time 300 microseconds —
Block Size Erase operations on block units (per datasheet cell layout) 64 pages
Internal ECC Yes (on-die, 128-byte redundancy segments) —
Gehäuse 8-WSON (6 mm x 8 mm) with Exposed Pad 8-WSON (6x8 mm)
Pin-Anzahl 8 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS-Status Compliant (per distributor listings) Compliant (RoHS3 per manufacturer cross-reference)
Memory Organization — (2048 + 64) bytes x 64 pages x 1024 blocks
Maximum SPI Clock — 133 MHz
Data Buffer — 2112 bytes
Data Width — x8 (serial interface)
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V (typical 3.3 V)
Page Read Time — 180 µs (typical, per DigiKey listing)
Technology — SLC NAND
Betriebstemperatur — -40C to +85C (industrial)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern