TC58CYG2S0HRAIJ vs TC58CVG0S3HRAIJ Comparação

Comparação detalhada lado a lado de TC58CYG2S0HRAIJ por Kioxia e TC58CVG0S3HRAIJ por Kioxia. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Kioxia
TC58CYG2S0HRAIJ TC58CYG2S0HRAIJ - 4Gbit SLC NAND Flash SPI | Kioxia

TC58CYG2S0HRAIJ - 4Gbit SLC NAND Flash SPI | Kioxia

TC58CYG2S0HRAIJ ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro TC58CYG2S0HRAIJ TC58CVG0S3HRAIJ
Marca Kioxia Kioxia
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $3,18 $1,30
Tipo de memória Non-volatile FLASH - NAND (SLC) Non-Volatile NAND Flash (SLC)
Memory Format SLC NAND —
Tamanho da memória 4 Gbit (512 MByte) 1 Gbit (128 MB)
Tipo de interface Serial SPI (Standard / Dual / Quad SPI) Serial SPI (also supports dual/quad SPI per datasheet)
Maximum SPI Clock Frequency 133 MHz —
Supply Voltage VCC 1.8 V (single supply) —
Page Size 4096 + 128 bytes (with internal ECC) 2048 + 64 bytes (data + spare)
Typical Page Read Time 300 microseconds —
Block Size Erase operations on block units (per datasheet cell layout) 64 pages
Internal ECC Yes (on-die, 128-byte redundancy segments) —
Encapsulamento 8-WSON (6 mm x 8 mm) with Exposed Pad 8-WSON (6x8 mm)
Contagem de pinos 8 —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Status RoHS Compliant (per distributor listings) Compliant (RoHS3 per manufacturer cross-reference)
Memory Organization — (2048 + 64) bytes x 64 pages x 1024 blocks
Maximum SPI Clock — 133 MHz
Data Buffer — 2112 bytes
Data Width — x8 (serial interface)
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V (typical 3.3 V)
Page Read Time — 180 µs (typical, per DigiKey listing)
Technology — SLC NAND
Temperatura de operação — -40C to +85C (industrial)

Fichas técnicas e recursos

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