TLP127(TPL,U,F) vs TLP183(GB-TPL Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von TLP127(TPL,U,F) von Toshiba und TLP183(GB-TPL von Toshiba. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter TLP127(TPL,U,F) TLP183(GB-TPL
Marke Toshiba Toshiba
Kategorie Optocouplers Optocouplers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,38 $0,12
Ausgangstyp DC Darlington Phototransistor Phototransistor (BJT)
Number of Channels 1 1
Input Type DC (GaAs IR LED) DC (InGaAs Infrared LED)
Forward Voltage VF (typ) 1.15 V at IF=10 mA —
Current Transfer Ratio (CTR) min 1000 % at IF=10 mA, VCE=2 V —
Collector-Emitter Voltage VCEO (max) 300 V —
Collector Current IC (max) 150 mA —
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(sat)) 1.2 V at IC=100 mA, IF=10 mA —
Turn-On Time ton 15 us at IF=10 mA, RL=100 ohm —
Turn-Off Time toff 40 us at IF=10 mA, RL=100 ohm —
Isolation Voltage (rms) 2500 Vrms —
Betriebstemperatur -55 C to +100 C -55 C to +125 C
Gehäuse MFSOP6 / SO6 Mini-Flat, 4 lead 6-SO (SO6, 4-pin functional)
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Manufacturer — Toshiba Semiconductor and Storage
Product Type — Phototransistor Output Optocoupler
Isolation Voltage — 3750 Vrms
Forward Current (IF) — 50 mA max
Reverse Voltage (VR) — 6 V max
Forward Voltage (VF) — 1.25 V typ at IF=10 mA
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) — 80 V max
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 7 V max
Kollektorstrom (Ic) — 50 mA max
CTR (Current Transfer Ratio) — 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank
Storage Temperature — -55 C to +150 C
CTR Rank — GB (50-600% range)
Rise Time (tr) — 5 us typ
Fall Time (tf) — 5 us typ
Tape and Reel Packaging — TPL (L direction, 3000 pcs/reel)
Packing Option Code — E (RoHS)

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