TLP127(TPL,U,F) vs TLP183(GB-TPL Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de TLP127(TPL,U,F) par Toshiba et TLP183(GB-TPL par Toshiba. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre TLP127(TPL,U,F) TLP183(GB-TPL
Marque Toshiba Toshiba
Catégorie Optocouplers Optocouplers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,38 $0,12
Type de sortie DC Darlington Phototransistor Phototransistor (BJT)
Number of Channels 1 1
Input Type DC (GaAs IR LED) DC (InGaAs Infrared LED)
Forward Voltage VF (typ) 1.15 V at IF=10 mA —
Current Transfer Ratio (CTR) min 1000 % at IF=10 mA, VCE=2 V —
Collector-Emitter Voltage VCEO (max) 300 V —
Collector Current IC (max) 150 mA —
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) 1.2 V at IC=100 mA, IF=10 mA —
Turn-On Time ton 15 us at IF=10 mA, RL=100 ohm —
Turn-Off Time toff 40 us at IF=10 mA, RL=100 ohm —
Isolation Voltage (rms) 2500 Vrms —
Température de fonctionnement -55 C to +100 C -55 C to +125 C
Boîtier MFSOP6 / SO6 Mini-Flat, 4 lead 6-SO (SO6, 4-pin functional)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Toshiba Semiconductor and Storage
Product Type — Phototransistor Output Optocoupler
Isolation Voltage — 3750 Vrms
Forward Current (IF) — 50 mA max
Reverse Voltage (VR) — 6 V max
Forward Voltage (VF) — 1.25 V typ at IF=10 mA
Tension collecteur-émetteur (Vceo) — 80 V max
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 7 V max
Courant de collecteur (Ic) — 50 mA max
CTR (Current Transfer Ratio) — 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank
Storage Temperature — -55 C to +150 C
CTR Rank — GB (50-600% range)
Rise Time (tr) — 5 us typ
Fall Time (tf) — 5 us typ
Tape and Reel Packaging — TPL (L direction, 3000 pcs/reel)
Packing Option Code — E (RoHS)

Fiches techniques et ressources

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