TLP183(GB-TPLE(T vs TLP183(GB-TPL,E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von TLP183(GB-TPLE(T von Toshiba und TLP183(GB-TPL,E von Toshiba. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter TLP183(GB-TPLE(T TLP183(GB-TPL,E
Marke Toshiba Toshiba
Kategorie Optocouplers Optocouplers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,22 $0,09
Isolation Voltage 3750 Vrms —
Ausgangstyp Phototransistor (NPN) —
Number of Channels 1 1
Gehäuse SO6 (4 effective pins) 6-SOP (4-lead SO6), surface mount
Montageart Surface Mount Surface Mount (SMT)
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) 80 V (min) —
Forward Current (IF) max 50 mA 50 mA
Forward Voltage (VF) typ 1.25 V at IF = 10 mA —
CTR Bin (GB) 100% to 300% at IF = 5 mA, VCE = 5 V —
Betriebstemperatur -55 °C to +125 °C —
Input Type DC —
Rise Time (ton) typ [DATA_NEEDED: rise/fall time in microseconds] —
Fall Time (toff) typ [DATA_NEEDED: fall time in microseconds] —
Power Dissipation (Output) max [DATA_NEEDED: Pc max in mW] —
MSL-Level 1 —
RoHS-Status Compliant RoHS compatible
Lead-Free Yes —
Product Type — Phototransistor Output Optocoupler
Isolation Voltage (rms) — 3750 Vrms
CTR Rank — GB (100% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V)
Reverse Voltage (VR) max — 5 V
Collector-Emitter Voltage (VCEO) max — 80 V
Emitter-Base Voltage (VEBO) max — 7 V
Collector Current (IC) max — 50 mA
Betriebstemperaturbereich — -55°C to +125°C
Input LED Type — GaAs infrared emitting diode
Output Transistor Type — Silicon NPN phototransistor
Packaging — Tape and Reel (TPL suffix)
Applications — PLC, AC Adapter, I/O Interface, Office Machine

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