TLP183(GB-TPLE(T vs TLP183(GB-TPL,E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de TLP183(GB-TPLE(T par Toshiba et TLP183(GB-TPL,E par Toshiba. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre TLP183(GB-TPLE(T TLP183(GB-TPL,E
Marque Toshiba Toshiba
Catégorie Optocouplers Optocouplers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,22 $0,09
Isolation Voltage 3750 Vrms —
Type de sortie Phototransistor (NPN) —
Number of Channels 1 1
Boîtier SO6 (4 effective pins) 6-SOP (4-lead SO6), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount (SMT)
Tension collecteur-émetteur (Vceo) 80 V (min) —
Forward Current (IF) max 50 mA 50 mA
Forward Voltage (VF) typ 1.25 V at IF = 10 mA —
CTR Bin (GB) 100% to 300% at IF = 5 mA, VCE = 5 V —
Température de fonctionnement -55 °C to +125 °C —
Input Type DC —
Rise Time (ton) typ [DATA_NEEDED: rise/fall time in microseconds] —
Fall Time (toff) typ [DATA_NEEDED: fall time in microseconds] —
Power Dissipation (Output) max [DATA_NEEDED: Pc max in mW] —
Niveau MSL 1 —
Statut RoHS Compliant RoHS compatible
Lead-Free Yes —
Product Type — Phototransistor Output Optocoupler
Isolation Voltage (rms) — 3750 Vrms
CTR Rank — GB (100% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V)
Reverse Voltage (VR) max — 5 V
Collector-Emitter Voltage (VCEO) max — 80 V
Emitter-Base Voltage (VEBO) max — 7 V
Collector Current (IC) max — 50 mA
Plage de température de fonctionnement — -55°C to +125°C
Input LED Type — GaAs infrared emitting diode
Output Transistor Type — Silicon NPN phototransistor
Packaging — Tape and Reel (TPL suffix)
Applications — PLC, AC Adapter, I/O Interface, Office Machine

Fiches techniques et ressources

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