TLP183GB(GB-TPL.E vs TLP183(GB-TPL Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von TLP183GB(GB-TPL.E von Toshiba und TLP183(GB-TPL von Toshiba. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter TLP183GB(GB-TPL.E TLP183(GB-TPL
Marke Toshiba Toshiba
Kategorie Surge Protectors Optocouplers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,13 $0,12
Product Type Phototransistor Optocoupler (Optoisolator) Phototransistor Output Optocoupler
Ausgangstyp DC, Phototransistor (single channel) Phototransistor (BJT)
Number of Channels 1 1
Input Type DC DC (InGaAs Infrared LED)
Maximum Forward Current (IF) 50 mA —
Maximum Forward Voltage (VF) 1.4 V —
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) 80 V 80 V max
Maximum Collector Current 50 mA —
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms
CTR Rank GB (100% to 300% at IF=5 mA, VCE=5 V) GB (50-600% range)
Betriebstemperaturbereich -55C to +110C —
Gehäuse 4-pin SO6 (6-SOP surface mount) 6-SO (SO6, 4-pin functional)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Safety Standards UL, cUL, VDE, CQC certified (per Toshiba datasheet) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Toshiba Semiconductor and Storage
Forward Current (IF) — 50 mA max
Reverse Voltage (VR) — 6 V max
Forward Voltage (VF) — 1.25 V typ at IF=10 mA
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 7 V max
Kollektorstrom (Ic) — 50 mA max
CTR (Current Transfer Ratio) — 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank
Betriebstemperatur — -55 C to +125 C
Storage Temperature — -55 C to +150 C
Rise Time (tr) — 5 us typ
Fall Time (tf) — 5 us typ
Tape and Reel Packaging — TPL (L direction, 3000 pcs/reel)
Packing Option Code — E (RoHS)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern