TLP183GB(GB-TPL.E vs TLP183(GB-TPL 비교

다음의 상세 나란히 비교: TLP183GB(GB-TPL.E 제조: Toshiba 및 TLP183(GB-TPL 제조: Toshiba. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Toshiba
TLP183GB(GB-TPL.E TLP183(GB-TPL,E - 3750Vrms Phototransistor Optocoupler SO6

TLP183(GB-TPL,E - 3750Vrms Phototransistor Optocoupler SO6

TLP183GB(GB-TPL.E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 TLP183GB(GB-TPL.E TLP183(GB-TPL
브랜드 Toshiba Toshiba
카테고리 Surge Protectors Optocouplers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.13 $0.12
Product Type Phototransistor Optocoupler (Optoisolator) Phototransistor Output Optocoupler
출력 유형 DC, Phototransistor (single channel) Phototransistor (BJT)
Number of Channels 1 1
Input Type DC DC (InGaAs Infrared LED)
Maximum Forward Current (IF) 50 mA —
Maximum Forward Voltage (VF) 1.4 V —
컬렉터-이미터 전압 (Vceo) 80 V 80 V max
Maximum Collector Current 50 mA —
Isolation Voltage 3750 Vrms 3750 Vrms
CTR Rank GB (100% to 300% at IF=5 mA, VCE=5 V) GB (50-600% range)
동작 온도 범위 -55C to +110C —
패키지 4-pin SO6 (6-SOP surface mount) 6-SO (SO6, 4-pin functional)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Safety Standards UL, cUL, VDE, CQC certified (per Toshiba datasheet) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Toshiba Semiconductor and Storage
Forward Current (IF) — 50 mA max
Reverse Voltage (VR) — 6 V max
Forward Voltage (VF) — 1.25 V typ at IF=10 mA
Emitter-Collector Voltage (VECO) — 7 V max
컬렉터 전류 (Ic) — 50 mA max
CTR (Current Transfer Ratio) — 50% min (IF=5 mA, VCE=5 V) - GB rank
동작 온도 — -55 C to +125 C
Storage Temperature — -55 C to +150 C
Rise Time (tr) — 5 us typ
Fall Time (tf) — 5 us typ
Tape and Reel Packaging — TPL (L direction, 3000 pcs/reel)
Packing Option Code — E (RoHS)

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