TLV9001IDBVR vs TLV6001IDBVR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von TLV9001IDBVR von Texas Instruments und TLV6001IDBVR von Texas Instruments. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Texas Instruments
TLV9001IDBVR TLV9001IDBVR - 1-MHz RRIO Op Amp | Texas Instruments

TLV9001IDBVR - 1-MHz RRIO Op Amp | Texas Instruments

TLV9001IDBVR ✓ Aktiv
Texas Instruments
TLV6001IDBVR TLV6001IDBVR - 1MHz RRIO Op Amp, 75uA | Texas Instruments

TLV6001IDBVR - 1MHz RRIO Op Amp, 75uA | Texas Instruments

TLV6001IDBVR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter TLV9001IDBVR TLV6001IDBVR
Marke Texas Instruments Texas Instruments
Kategorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,14 $0,17
Number of Channels 1 1
Topologie CMOS, Rail-to-Rail In/Out —
Supply Voltage Range 1.8 V to 5.5 V 1.8 V to 5.5 V
Quiescent Current (per channel) 60 uA (typical) 75 uA
Unity-Gain Bandwidth 1 MHz —
Slew Rate 2 V/us 0.5 V/us
Input Offset Voltage (max) 1.6 mV —
Input Bias Current 2 pA 1 pA
Input Voltage Noise Density 4.7 nV/√Hz at 1 kHz 28 nV/√Hz at 1 kHz
Input Common-Mode Range Rail-to-Rail —
Output Swing Rail-to-Rail —
Output Current (sourcing/sinking) 40 mA —
Open-Loop Gain (DC) 86 dB —
Input Offset Drift 600 nV/°C —
Abschaltstrom 5 pA —
Betriebstemperatur -40 °C to +125 °C —
EMI/RFI Rejection Filter Integrated —
Capacitive Load Drive 500 pF —
Gehäuse SOT-23-5 (DBV) 2.90 mm x 1.60 mm SOT-23-5 (DBV)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 2 (1 year floor life) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Gain-Bandwidth Product — 1 MHz
Input/Output Type — Rail-to-Rail Input and Output (RRIO)
Capacitive Load Stability — Up to 100 pF
Betriebstemperaturbereich — -40C to +125C
Architecture — CMOS
Amplifier Class — General Purpose

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern