TLV9001IDBVR vs TLV6001IDBVR Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de TLV9001IDBVR par Texas Instruments et TLV6001IDBVR par Texas Instruments. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | TLV9001IDBVR | TLV6001IDBVR |
|---|---|---|
| Marque | Texas Instruments | Texas Instruments |
| Catégorie | Amplifier ICs | Amplifier ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,14 | $0,17 |
| Number of Channels | 1 | 1 |
| Topologie | CMOS, Rail-to-Rail In/Out | — |
| Supply Voltage Range | 1.8 V to 5.5 V | 1.8 V to 5.5 V |
| Quiescent Current (per channel) | 60 uA (typical) | 75 uA |
| Unity-Gain Bandwidth | 1 MHz | — |
| Slew Rate | 2 V/us | 0.5 V/us |
| Input Offset Voltage (max) | 1.6 mV | — |
| Input Bias Current | 2 pA | 1 pA |
| Input Voltage Noise Density | 4.7 nV/√Hz at 1 kHz | 28 nV/√Hz at 1 kHz |
| Input Common-Mode Range | Rail-to-Rail | — |
| Output Swing | Rail-to-Rail | — |
| Output Current (sourcing/sinking) | 40 mA | — |
| Open-Loop Gain (DC) | 86 dB | — |
| Input Offset Drift | 600 nV/°C | — |
| Courant d'arrêt | 5 pA | — |
| Température de fonctionnement | -40 °C to +125 °C | — |
| EMI/RFI Rejection Filter | Integrated | — |
| Capacitive Load Drive | 500 pF | — |
| Boîtier | SOT-23-5 (DBV) 2.90 mm x 1.60 mm | SOT-23-5 (DBV) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 2 (1 year floor life) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Gain-Bandwidth Product | — | 1 MHz |
| Input/Output Type | — | Rail-to-Rail Input and Output (RRIO) |
| Capacitive Load Stability | — | Up to 100 pF |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40C to +125C |
| Architecture | — | CMOS |
| Amplifier Class | — | General Purpose |