W971GG6SB25I vs MT47H64M16HR-25E IT:H Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von W971GG6SB25I von Winbond und MT47H64M16HR-25E IT:H von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT47H64M16HR-25E IT:H MT47H64M16HR-25E IT:H - 1Gb DDR2 SDRAM 400MHz 84-FBGA | Micron

MT47H64M16HR-25E IT:H - 1Gb DDR2 SDRAM 400MHz 84-FBGA | Micron

MT47H64M16HR-25E IT:H ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter W971GG6SB25I MT47H64M16HR-25E IT:H
Marke Winbond Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,48 $2,21
Speichertyp Volatile, DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM (volatile)
Density 1 Gbit (1,073,741,824 bits) —
Speicherorganisation 8M words × 8 banks × 16 bits 8 Meg x 16 x 8 banks
Maximum Data Rate 400 MT/s (DDR2-800) —
Clock Frequency 200 MHz 400 MHz
Random Access Time 57.5 ns —
Bus Width 16 bits —
Supply Voltage (VDD / V_DDQ) 1.8 V (JEDEC SSTL-18) —
Schnittstellentyp Parallel, SSTL-18 —
Betriebstemperatur -40 °C to +85 °C (industrial) -40C to +85C (Industrial, IT:H)
Package Type 84-WBGA / 84-TFBGA, 8.0 × 12.5 mm —
Montageart Surface Mount —
Number of Pins / Balls 84 —
Bank Count 8 —
On-Die Termination (ODT) Yes (per JEDEC DDR2) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Speed Grade Suffix 25I (DDR2-800 6-6-6, industrial) —
Compliance JEDEC DDR2 standard —
RoHS-Status Compliant (lead-free) Compliant (lead-free)
Speichergröße — 1 Gbit (64M x 16)
Access Time — 400 ps
Data Rate (effective) — 800 MT/s
Schnittstelle — Parallel (byte-wide)
Prefetch Architecture — 4n-bit
Supply Voltage VDD — 1.8 V ±0.1 V
Supply Voltage VDDQ — 1.8 V ±0.1 V (SSTL_18)
I/O Standard — JEDEC SSTL_18-compatible
Data Strobe — Differential (DQS, DQS#)
Gehäuse — 84-TFBGA (8 mm x 12.5 mm)

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern