W971GG6SB25I vs MT47H64M16HR-25E IT:H Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de W971GG6SB25I par Winbond et MT47H64M16HR-25E IT:H par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT47H64M16HR-25E IT:H MT47H64M16HR-25E IT:H - 1Gb DDR2 SDRAM 400MHz 84-FBGA | Micron

MT47H64M16HR-25E IT:H - 1Gb DDR2 SDRAM 400MHz 84-FBGA | Micron

MT47H64M16HR-25E IT:H ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre W971GG6SB25I MT47H64M16HR-25E IT:H
Marque Winbond Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,48 $2,21
Type de mémoire Volatile, DDR2 SDRAM DDR2 SDRAM (volatile)
Density 1 Gbit (1,073,741,824 bits) —
Organisation de la mémoire 8M words × 8 banks × 16 bits 8 Meg x 16 x 8 banks
Maximum Data Rate 400 MT/s (DDR2-800) —
Clock Frequency 200 MHz 400 MHz
Random Access Time 57.5 ns —
Bus Width 16 bits —
Supply Voltage (VDD / V_DDQ) 1.8 V (JEDEC SSTL-18) —
Type d'interface Parallel, SSTL-18 —
Température de fonctionnement -40 °C to +85 °C (industrial) -40C to +85C (Industrial, IT:H)
Package Type 84-WBGA / 84-TFBGA, 8.0 × 12.5 mm —
Type de montage Surface Mount —
Number of Pins / Balls 84 —
Bank Count 8 —
On-Die Termination (ODT) Yes (per JEDEC DDR2) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
Speed Grade Suffix 25I (DDR2-800 6-6-6, industrial) —
Compliance JEDEC DDR2 standard —
Statut RoHS Compliant (lead-free) Compliant (lead-free)
Taille de mémoire — 1 Gbit (64M x 16)
Access Time — 400 ps
Data Rate (effective) — 800 MT/s
Interface — Parallel (byte-wide)
Prefetch Architecture — 4n-bit
Supply Voltage VDD — 1.8 V ±0.1 V
Supply Voltage VDDQ — 1.8 V ±0.1 V (SSTL_18)
I/O Standard — JEDEC SSTL_18-compatible
Data Strobe — Differential (DQS, DQS#)
Boîtier — 84-TFBGA (8 mm x 12.5 mm)

Fiches techniques et ressources

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