WT:A vs MT53E1G32D2FW-046 WT:B Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von WT:A von Micron Technology und MT53E1G32D2FW-046 WT:B von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 WT:B MT53E1G32D2FW-046 WT:B - 32Gb LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53E1G32D2FW-046 WT:B - 32Gb LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53E1G32D2FW-046 WT:B ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter WT:A MT53E1G32D2FW-046 WT:B
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $9,85 $98,44
Speichertyp Mobile LPDDR4 SDRAM Volatile, Mobile LPDDR4 SDRAM (LPDRAM)
Density 48 Gbit (6 GB) —
Speicherorganisation 1536M x 32 1G x 32
Maximum Data Rate 2.133 GHz —
Speed Bin Suffix -046 (2133 MHz) —
Supply Voltage VDD1 1.8 V (typ, JEDEC LPDDR4) —
Supply Voltage VDD2 1.1 V (typ, JEDEC LPDDR4) 1.1 V
Supply Voltage VDDQ 1.1 V (typ, JEDEC LPDDR4) 1.1 V (LPDDR4X) / 1.8 V (LPDDR4)
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature grade] -25C to +85C
Gehäuse 200-ball TFBGA 200-ball TFBGA (10 mm x 14.5 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
Schnittstelle LPDDR4 command/address + 32-bit DQ —
JEDEC Standard JESD209-4 (LPDDR4) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Refresh Auto-refresh and self-refresh per JEDEC —
Memory Capacity — 32 Gbit (4 GB)
Interface / Bus Width — Parallel, 32-bit
Clock Frequency (max) — 2.133 GHz (2133 MHz)
Data Rate (per pin) — 4266 MT/s
Clock Access Time (tCK) — 3.5 ns
Speed Bin — -046
Die Configuration — Dual-Die Package (DDP)
On-Die Features — Auto precharge, Data mask, ZQ calibration, Write leveling, Built-in temperature sensor, Asynchronous reset

Datenblätter & Ressourcen

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