YZ48G08V-F9HPI-M vs MT40A1G8SA-075:E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von YZ48G08V-F9HPI-M von Loongtion und MT40A1G8SA-075:E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ Aktiv
Micron Technology
MT40A1G8SA-075:E MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter YZ48G08V-F9HPI-M MT40A1G8SA-075:E
Marke Loongtion Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $7,20 $6,30
Speichertyp DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
Density 8 Gb —
Speicherorganisation 1G x 8 —
Datenrate 3200 MT/s 2666 MT/s
Versorgungsspannung 1.2 V —
Betriebstemperaturbereich -40°C to +85°C 0°C to +95°C
Package Type FBGA78 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Schnittstelle Parallel Parallel
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
RoHS-Status Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 Not Applicable —
Speichergröße — 8Gbit (1G x 8)
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
Gehäuse — 78-FBGA (7.5x11 mm)
Write Leveling — Supported
Dynamic On-Chip Termination — Supported
CRC Function — Supported
Data Mask Function — Supported

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern