YZ48G08V-F9HPI-M vs MT40A1G8SA-075:E 对比

详细并排对比 YZ48G08V-F9HPI-M 出自 Loongtion 和 MT40A1G8SA-075:E 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ 量产中
Micron Technology
MT40A1G8SA-075:E MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E ✓ 量产中

规格对比

参数 YZ48G08V-F9HPI-M MT40A1G8SA-075:E
品牌 Loongtion Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $7.20 $6.30
存储器类型 DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
Density 8 Gb —
存储组织 1G x 8 —
数据速率 3200 MT/s 2666 MT/s
电源电压 1.2 V —
工作温度范围 -40°C to +85°C 0°C to +95°C
Package Type FBGA78 —
安装类型 Surface Mount Surface Mount
接口 Parallel Parallel
CAS 延迟 [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Row Cycle Time (tRC) [DATA_NEEDED: tRC] —
Refresh Cycle Time (tRFC) [DATA_NEEDED: tRFC] —
RoHS 状态 Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
AEC-Q100 Not Applicable —
存储容量 — 8Gbit (1G x 8)
Clock Frequency — 1.33 GHz
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.2V ±60mV
VPP Supply Voltage — 2.5V (-125mV, +250mV)
Refresh Time — 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C
封装 — 78-FBGA (7.5x11 mm)
Write Leveling — Supported
Dynamic On-Chip Termination — Supported
CRC Function — Supported
Data Mask Function — Supported

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