10M08SAE144I7G vs 10M08SAE144C8G Comparación

Comparación detallada lado a lado de 10M08SAE144I7G por Intel y 10M08SAE144C8G por Intel. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 10M08SAE144I7G 10M08SAE144C8G
Marca Intel Intel
Categoría FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,80 $16,25
Family MAX 10 MAX 10
Logic Elements (LE) 8000 8000
Total RAM Bits 387072 (378 Kb) —
User Flash Memory 1540 Kb (dual-configuration) —
User I/O Pins 101 101
Tensión de alimentación 2.85 V to 3.465 V —
Core Voltage 3.3 V (single supply) —
Temperatura de funcionamiento -40°C to +100°C (TJ) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (LQFP)
Encapsulado 144-LQFP Exposed Pad (EQFP-144) 144-LQFP Exposed Pad (EQFP)
Supplier Device Package 144-EQFP EP —
Process Technology TSMC 55 nm CMOS 55 nm flash-based CMOS
Embedded Memory Type M9K SRAM blocks —
Multipliers (18x18) [DATA_NEEDED: multiplier block count] —
Integrated ADC Yes, 12-bit SAR 12-bit, 1 MSa/s, up to 17 analog inputs
Configuration Method JTAG / internal flash (instant-on) —
Soft Core Support Nios II —
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Adaptive Logic Modules (ALM) — Not applicable (MAX 10 uses LE architecture, not ALM)
M9K Embedded Memory Blocks — 378 Kb total
MLAB Memory — [DATA_NEEDED: MLAB capacity]
Embedded 18x18 Multipliers — 24
Configuration Memory — Internal flash, dual-image
PLLs — 2 analog front-end PLLs
Maximum User I/O Voltage — 3.3 V (LVCMOS/LVTTL); LVDS supported
External Memory Interface — DDR3, DDR2, LPDDR2
Temperatura de unión de funcionamiento — 0C to 85C (commercial)
Lead-Free — Yes
Sin halógenos — [DATA_NEEDED: halogen status]

Hojas de datos y recursos

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