10M08SAE144I7G vs 10M08SAE144C8G Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von 10M08SAE144I7G von Intel und 10M08SAE144C8G von Intel. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter 10M08SAE144I7G 10M08SAE144C8G
Marke Intel Intel
Kategorie FPGA & CPLD FPGA & CPLD
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,80 $16,25
Family MAX 10 MAX 10
Logic Elements (LE) 8000 8000
Total RAM Bits 387072 (378 Kb) —
User Flash Memory 1540 Kb (dual-configuration) —
User I/O Pins 101 101
Versorgungsspannung 2.85 V to 3.465 V —
Core Voltage 3.3 V (single supply) —
Betriebstemperatur -40°C to +100°C (TJ) —
Montageart Surface Mount Surface Mount (LQFP)
Gehäuse 144-LQFP Exposed Pad (EQFP-144) 144-LQFP Exposed Pad (EQFP)
Supplier Device Package 144-EQFP EP —
Process Technology TSMC 55 nm CMOS 55 nm flash-based CMOS
Embedded Memory Type M9K SRAM blocks —
Multipliers (18x18) [DATA_NEEDED: multiplier block count] —
Integrated ADC Yes, 12-bit SAR 12-bit, 1 MSa/s, up to 17 analog inputs
Configuration Method JTAG / internal flash (instant-on) —
Soft Core Support Nios II —
RoHS-Status Compliant Compliant
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Adaptive Logic Modules (ALM) — Not applicable (MAX 10 uses LE architecture, not ALM)
M9K Embedded Memory Blocks — 378 Kb total
MLAB Memory — [DATA_NEEDED: MLAB capacity]
Embedded 18x18 Multipliers — 24
Configuration Memory — Internal flash, dual-image
PLLs — 2 analog front-end PLLs
Maximum User I/O Voltage — 3.3 V (LVCMOS/LVTTL); LVDS supported
External Memory Interface — DDR3, DDR2, LPDDR2
Betriebs-Sperrschichttemperatur — 0C to 85C (commercial)
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — [DATA_NEEDED: halogen status]

Datenblätter & Ressourcen

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