1ED3142MC12HXUMA1 vs 1EBN1001AEXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1ED3142MC12HXUMA1 por Infineon y 1EBN1001AEXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 1ED3142MC12HXUMA1 1EBN1001AEXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,32 $4,41
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number 1ED3142MC12HXUMA1 —
Product Family EiceDRIVER X3 Compact —
Driver Type Isolated single-channel gate driver —
Isolation Technology Coreless transformer (galvanic) —
Isolation Voltage 3000 Vrms —
Number of Channels 1 —
Número de salidas 2 (separate source/sink) 2 (separate source and sink paths)
Configuration Inverting, Non-Inverting High-Side / Low-Side (non-inverting booster)
Source Drive Current 6 A —
Sink Drive Current 6.5 A —
Maximum Rise Time 20 ns —
Maximum Fall Time 20 ns —
Propagation Delay (typ.) 40 ns —
Supported Switches IGBT, MOSFET, SiC MOSFET —
Encapsulado PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1) PG-DSO-14-43 (DSO EP, 14-pin, Tape & Reel)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
EU RoHS Compliant —
Part Status Active —
ECCN EAR99 —
Product Type — Isolated single-channel IGBT/MOSFET gate driver booster
Series — EiceDRIVER™ Boost (1EBN family)
Peak Output Current — ±15 A
Number of Drivers — 1
Input Signal — ASC input, active-clamping disable
Active Clamping — Yes (very fast reaction time)
Temperatura de funcionamiento — -40 °C to +125 °C (automotive grade)
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]
Estado RoHS — Compliant
Target Switching Stage — Motor drives > 10 kW (up to 400 A modules)

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización