1EDN7146GXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7146GXTMA1 por Infineon y 1EDN7511BXUSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7146GXTMA1 1EDN7511BXUSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,05 $0,95
Driver Type High-side, single-channel Low-Side, Single Channel
Number of Drivers 1 1
Logic Type Non-Inverting —
Input Type TDI (Truly Differential Inductor) —
Maximum Bootstrap Voltage (VB) 200 V —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Source/Sink Drive Current 500 mA / 500 mA —
Gate Drive Voltage Up to 11 V (typ) —
Propagation Delay (typ) 40 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
UVLO (VCC) Yes —
UVLO (VB) Yes —
Bootstrap Diode Integrated —
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Encapsulado PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 —
Número de salidas — 1
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Tiempo de subida — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Tiempo de bajada — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
Tensión de alimentación de funcionamiento — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Input Logic Compatibility — TTL / CMOS
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 C to +150 C
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)
Lead-Free — Yes

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