1EDN7146GXTMA1 vs 1EDN7511BXUSA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 1EDN7146GXTMA1 por Infineon e 1EDN7511BXUSA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro 1EDN7146GXTMA1 1EDN7511BXUSA1
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,05 $0,95
Driver Type High-side, single-channel Low-Side, Single Channel
Number of Drivers 1 1
Logic Type Non-Inverting —
Input Type TDI (Truly Differential Inductor) —
Maximum Bootstrap Voltage (VB) 200 V —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Source/Sink Drive Current 500 mA / 500 mA —
Gate Drive Voltage Up to 11 V (typ) —
Propagation Delay (typ) 40 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
UVLO (VCC) Yes —
UVLO (VB) Yes —
Bootstrap Diode Integrated —
Temperatura de operação -40 C to +125 C —
Encapsulamento PG-VSON-10-4 PG-SOT23-6-2 (6-pin SOT-23)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount (SMD/SMT)
Status RoHS Compliant Compliant
Nível MSL 1 —
Número de saídas — 1
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Peak Source Current — 4 A
Peak Sink Current — 8 A
Tempo de subida — [DATA_NEEDED: rise time ns]
Tempo de descida — 4.5 ns
Propagation Delay — ±5 ns (matched)
Tensão de alimentação de operação — [DATA_NEEDED: VCC range V]
Input Logic Compatibility — TTL / CMOS
UVLO Protection — Yes (integrated)
Output Stage — True low-impedance complementary rail-to-rail
Faixa de temperatura de operação — -40 C to +150 C
Packaging — Cut Tape (Tape & Reel available)
Lead-Free — Yes

Fichas técnicas e recursos

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