1EDN7146GXTMA1 vs 2EDL8123GXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 1EDN7146GXTMA1 por Infineon y 2EDL8123GXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 1EDN7146GXTMA1 2EDL8123GXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,05 $0,58
Driver Type High-side, single-channel —
Number of Drivers 1 2
Logic Type Non-Inverting —
Input Type TDI (Truly Differential Inductor) Non-Inverting
Maximum Bootstrap Voltage (VB) 200 V —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Source/Sink Drive Current 500 mA / 500 mA —
Gate Drive Voltage Up to 11 V (typ) —
Propagation Delay (typ) 40 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
UVLO (VCC) Yes —
UVLO (VB) Yes —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Encapsulado PG-VSON-10-4 PG-VDSON-8-4 (VSON-8 with thermal pad)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Nivel MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Maximum Bootstrap Voltage (V_BS) — 120 V
Source Current (I_source, typical) — 3 A
Sink Current (I_sink, typical) — 4 A
Supply Voltage (V_CC) — [DATA_NEEDED: V_CC range]
UVLO Protection — Yes (V_CC and V_BS)
Isolation Type — Junction-Isolated (JI)
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: t_on / t_off]
Logic Input Compatibility — TTL/CMOS
Lead-Free — Yes

Hojas de datos y recursos

Examinar todos los productos Crear BOM Solicitar cotización