1EDN7146GXTMA1 vs 2EDL8123GXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 1EDN7146GXTMA1 par Infineon et 2EDL8123GXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
1EDN7146GXTMA1 1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 - 200V TDI Gate Driver IC | Infineon

1EDN7146GXTMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre 1EDN7146GXTMA1 2EDL8123GXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,58
Driver Type High-side, single-channel —
Number of Drivers 1 2
Logic Type Non-Inverting —
Input Type TDI (Truly Differential Inductor) Non-Inverting
Maximum Bootstrap Voltage (VB) 200 V —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Source/Sink Drive Current 500 mA / 500 mA —
Gate Drive Voltage Up to 11 V (typ) —
Propagation Delay (typ) 40 ns —
Rise/Fall Time (typ) [DATA_NEEDED: rise/fall time] —
UVLO (VCC) Yes —
UVLO (VB) Yes —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
Température de fonctionnement -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Boîtier PG-VSON-10-4 PG-VDSON-8-4 (VSON-8 with thermal pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Niveau MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Driver Configuration — Half-Bridge (High-Side + Low-Side)
Maximum Bootstrap Voltage (V_BS) — 120 V
Source Current (I_source, typical) — 3 A
Sink Current (I_sink, typical) — 4 A
Supply Voltage (V_CC) — [DATA_NEEDED: V_CC range]
UVLO Protection — Yes (V_CC and V_BS)
Isolation Type — Junction-Isolated (JI)
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: t_on / t_off]
Logic Input Compatibility — TTL/CMOS
Lead-Free — Yes

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