2ED21834S06JXUMA1 vs 1EDB8275FXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2ED21834S06JXUMA1 por Infineon y 1EDB8275FXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2ED21834S06JXUMA1 1EDB8275FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,89 $1,72
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Encapsulado PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8 (150 mil wide-body)
Número de pines 14 —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C (industrial)
Estado RoHS Compliant Compliant
Standard Reel Quantity 3000 —
Función — Single-channel isolated gate driver
Number of Channels — 1
Isolation Type — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (Vrms) — 3000 Vrms
Peak Source Current (typ.) — 5.4 A
Peak Sink Current (typ.) — 9.8 A
CMTI (min.) — 300 V/ns
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Output-side Supply Voltage — Up to 40 V (per datasheet family)
Input-side Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC input range]
UVLO — Yes (input and output side)
Miller Clamp — Available in family

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