2ED21834S06JXUMA1 vs 1EDB8275FXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED21834S06JXUMA1 par Infineon et 1EDB8275FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED21834S06JXUMA1 1EDB8275FXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,89 $1,72
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Boîtier PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8 (150 mil wide-body)
Nombre de broches 14 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40 °C to +125 °C -40 C to +125 C (industrial)
Statut RoHS Compliant Compliant
Standard Reel Quantity 3000 —
Fonction — Single-channel isolated gate driver
Number of Channels — 1
Isolation Type — Magnetic coupling (coreless transformer)
Isolation Voltage (Vrms) — 3000 Vrms
Peak Source Current (typ.) — 5.4 A
Peak Sink Current (typ.) — 9.8 A
CMTI (min.) — 300 V/ns
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay value]
Output-side Supply Voltage — Up to 40 V (per datasheet family)
Input-side Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC input range]
UVLO — Yes (input and output side)
Miller Clamp — Available in family

Fiches techniques et ressources

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