2ED21834S06JXUMA1 vs 2EDN7534FXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2ED21834S06JXUMA1 por Infineon y 2EDN7534FXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2ED21834S06JXUMA1 2EDN7534FXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,89 $0,71
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration Half-bridge (high-side + low-side) —
Maximum Offset Voltage (VBS) 650 V —
Typical Sink Current 2.5 A —
Typical Source Current 2.5 A —
Input Logic Non-Inverting —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) high-voltage —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VBS) —
Encapsulado PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8
Número de pines 14 —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento -40 °C to +125 °C —
Estado RoHS Compliant Compliant
Standard Reel Quantity 3000 —
Driver Type — Low-Side, Dual Channel
Number of Drivers — 2
Peak Output Current — 5 A (source/sink)
Supply Voltage (VDD) — 4.5 V to 20 V
Input Voltage Range (logic pins) — -12 V to +22 V (absolute max)
Propagation Delay (typical) — 19 ns
Input Logic Compatibility — LV-TTL
Output Polarity — Non-Inverting
Output Voltage Clamping — Active, to VDD
Rise Time (typ.) — [DATA_NEEDED: rise time]
Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: fall time]
Channel-to-Channel Skew — [DATA_NEEDED: channel skew]
Under-Voltage Lockout — Yes
Patilla de habilitación — Yes
Temperatura de funcionamiento — -40C to +125C

Hojas de datos y recursos

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