2ED2183S06FXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2ED2183S06FXUMA1 por Infineon y 2ED2108S06FXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2ED2183S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,05 $0,30
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Drivers 1 1
Número de salidas 1 (half-bridge: high-side + low-side) 2 (high-side + low-side)
Configuration High Side, Low Side, Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 650 V —
Output Current (Sink/Source) 2.5 A typical —
Tiempo de subida 15 ns —
Tiempo de bajada 15 ns —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V (typ.) —
Logic Input Voltage 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) —
Input Type Non-Inverting —
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) VCC and VBS Yes (VCC and VB)
Temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Encapsulado PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 2 1
Terminal Finish Tin (e3 per JESD-609) —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]

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