2ED2183S06FXUMA1 vs 2ED2108S06FXUMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED2183S06FXUMA1 par Infineon et 2ED2108S06FXUMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED2183S06FXUMA1 2ED2108S06FXUMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,05 $0,30
Driver Type Half-Bridge Gate Driver —
Number of Drivers 1 1
Nombre de sorties 1 (half-bridge: high-side + low-side) 2 (high-side + low-side)
Configuration High Side, Low Side, Non-Inverting —
Maximum Offset Voltage 650 V —
Output Current (Sink/Source) 2.5 A typical —
Temps de montée 15 ns —
Temps de descente 15 ns —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V —
Bootstrap Supply (VBS) 10 V to 20 V (typ.) —
Logic Input Voltage 3.3 V / 5 V compatible (HIN, LIN) —
Input Type Non-Inverting —
Bootstrap Diode Integrated —
Undervoltage Lockout (UVLO) VCC and VBS Yes (VCC and VB)
Température de fonctionnement -40 C to +125 C -40 C to +125 C
Boîtier PG-DSO-8-53 (DSO-8) PG-DSO-8-53 (DSO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 2 1
Terminal Finish Tin (e3 per JESD-609) —
Technology SOI (Silicon-On-Insulator) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — Half-Bridge
Gate Type — N-Channel MOSFET, IGBT
Logic Input — Non-Inverting
Input Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
High-Side Bootstrap Voltage Rating — 650 V
Peak Source Current (typ.) — 0.29 A
Peak Sink Current (typ.) — 0.7 A
Integrated Bootstrap Diode — Yes
Propagation Delay (typ.) — [DATA_NEEDED: propagation delay ns]
Rise / Fall Time (typ.) — [DATA_NEEDED: tr/tf ns]

Fiches techniques et ressources

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