2ED21844S06JXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2ED21844S06JXUMA1 por Infineon y 1ED3142MC12HXUMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2ED21844S06JXUMA1 1ED3142MC12HXUMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,68 $1,32
Driver Configuration Half-Bridge —
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Input Type Non-Inverting —
Blocking Voltage (Voffset) 650 V —
Output Current (Source/Sink) 2.5 A typical —
Bootstrap Diode Integrated —
Supply Voltage (VCC) 10 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range] —
Propagation Delay (Typ.) 200 ns [DATA_NEEDED: matching value] —
Input Logic Compatibility TTL/CMOS 3.3 V and 5 V —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes, both HS and LS rails —
Shutdown Pin Yes —
Negative VS Transient Immunity -100 V typical —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Encapsulado PG-DSO-14-49 (DSO-14) PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Estado RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — 1ED3142MC12HXUMA1
Product Family — EiceDRIVER X3 Compact
Driver Type — Isolated single-channel gate driver
Isolation Technology — Coreless transformer (galvanic)
Isolation Voltage — 3000 Vrms
Number of Channels — 1
Número de salidas — 2 (separate source/sink)
Configuration — Inverting, Non-Inverting
Source Drive Current — 6 A
Sink Drive Current — 6.5 A
Maximum Rise Time — 20 ns
Maximum Fall Time — 20 ns
Propagation Delay (typ.) — 40 ns
Supported Switches — IGBT, MOSFET, SiC MOSFET
EU RoHS — Compliant
Part Status — Active
ECCN — EAR99

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