2ED21844S06JXUMA1 vs 1ED3142MC12HXUMA1 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de 2ED21844S06JXUMA1 por Infineon e 1ED3142MC12HXUMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Infineon
1ED3142MC12HXUMA1 - 6A Isolated Gate Driver | Infineon EiceDRIVER
1ED3142MC12HXUMA1 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | 2ED21844S06JXUMA1 | 1ED3142MC12HXUMA1 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | Infineon |
| Categoria | Power MOSFET Drivers | Power MOSFET Drivers |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,68 | $1,32 |
| Driver Configuration | Half-Bridge | — |
| Number of Drivers | 2 (high-side + low-side) | — |
| Input Type | Non-Inverting | — |
| Blocking Voltage (Voffset) | 650 V | — |
| Output Current (Source/Sink) | 2.5 A typical | — |
| Bootstrap Diode | Integrated | — |
| Supply Voltage (VCC) | 10 V to 20 V [DATA_NEEDED: exact range] | — |
| Propagation Delay (Typ.) | 200 ns [DATA_NEEDED: matching value] | — |
| Input Logic Compatibility | TTL/CMOS 3.3 V and 5 V | — |
| Undervoltage Lockout (UVLO) | Yes, both HS and LS rails | — |
| Shutdown Pin | Yes | — |
| Negative VS Transient Immunity | -100 V typical | — |
| Faixa de temperatura de operação | -40 C to +125 C | — |
| Encapsulamento | PG-DSO-14-49 (DSO-14) | PG-DSO-8 (PG-LDSO-8-1) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Number | — | 1ED3142MC12HXUMA1 |
| Product Family | — | EiceDRIVER X3 Compact |
| Driver Type | — | Isolated single-channel gate driver |
| Isolation Technology | — | Coreless transformer (galvanic) |
| Isolation Voltage | — | 3000 Vrms |
| Number of Channels | — | 1 |
| Número de saídas | — | 2 (separate source/sink) |
| Configuration | — | Inverting, Non-Inverting |
| Source Drive Current | — | 6 A |
| Sink Drive Current | — | 6.5 A |
| Maximum Rise Time | — | 20 ns |
| Maximum Fall Time | — | 20 ns |
| Propagation Delay (typ.) | — | 40 ns |
| Supported Switches | — | IGBT, MOSFET, SiC MOSFET |
| EU RoHS | — | Compliant |
| Part Status | — | Active |
| ECCN | — | EAR99 |