2ED2304S06FXUMA1 vs IR2304SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2ED2304S06FXUMA1 por Infineon y IR2304SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
2ED2304S06FXUMA1 2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 - 650V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2ED2304S06FXUMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 2ED2304S06FXUMA1 IR2304SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,66 $0,48
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Technology Infineon thin-film SOI HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) 3.3 V, 5 V, 15 V
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) Both High-Side and Low-Side Channels
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40 C to +125 C
Encapsulado PG-DSO-8-910 (DSO-8) 8-Pin SOIC (SO-8 N)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 2 —
Estado RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High and Low Side, Independent Channels
Número de salidas — 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 60 mA / 130 mA
Propagation Delay (Typical) — 220 ns
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes (dV/dt immune)
Logic Input Polarity — Non-Inverting

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