2ED2304S06FXUMA1 vs IR2304SPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2ED2304S06FXUMA1 par Infineon et IR2304SPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2ED2304S06FXUMA1 IR2304SPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,66 $0,48
Driver Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side) —
Technology Infineon thin-film SOI HVIC + Latch-Immune CMOS, Monolithic
Blocking Voltage (High-Side) 650 V —
Source Current (typ.) 0.36 A —
Sink Current (typ.) 0.7 A —
Input Logic Compatibility 3.3 V CMOS / LSTTL (Schmitt-trigger) 3.3 V, 5 V, 15 V
VCC Supply Range 10 V to 17 V —
Bootstrap Diode Integrated (BSD) —
Undervoltage Lockout (UVLO) Yes (VCC and VB-VS) Both High-Side and Low-Side Channels
Interlock / Anti-Shoot-Through Built-in —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C -40 C to +125 C
Boîtier PG-DSO-8-910 (DSO-8) 8-Pin SOIC (SO-8 N)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 2 —
Statut RoHS Compliant Compliant (Pb-free)
Product Type — Half-Bridge Gate Driver IC
Configuration — High and Low Side, Independent Channels
Nombre de sorties — 2
Maximum Offset (Bootstrap) Voltage — 600 V
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Output Source/Sink Current — 60 mA / 130 mA
Propagation Delay (Typical) — 220 ns
Negative Transient Voltage Tolerance — Yes (dV/dt immune)
Logic Input Polarity — Non-Inverting

Fiches techniques et ressources

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