2EDL5013U2DXTMA1 vs IR2109SPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDL5013U2DXTMA1 por Infineon y IR2109SPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDL5013U2DXTMA1 IR2109SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,85 $1,05
Driver Configuration High-Side, Low-Side (Half-Bridge) Half-Bridge
Input Logic Non-Inverting —
Number of Channels 2 —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 3 A —
Configuración de salida Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V 10 V to 20 V
Bootstrap Voltage Rating 120 V max —
Rise Time (typ.) 4.4 ns —
Fall Time (typ.) 3.5 ns —
Miller Clamp 7 A active Miller clamp —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
UVLO VCC and VBS under-voltage lockout —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm) SOIC-8
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Tiempo de subida — 200 ns
Tiempo de bajada — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Temperatura de unión de funcionamiento — -40 C to +150 C

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