2EDL5013U2DXTMA1 vs IR2109SPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de 2EDL5013U2DXTMA1 por Infineon e IR2109SPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro 2EDL5013U2DXTMA1 IR2109SPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,85 $1,05
Driver Configuration High-Side, Low-Side (Half-Bridge) Half-Bridge
Input Logic Non-Inverting —
Number of Channels 2 —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 3 A —
Configuração de saída Non-Inverting —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 5.5 V 10 V to 20 V
Bootstrap Voltage Rating 120 V max —
Rise Time (typ.) 4.4 ns —
Fall Time (typ.) 3.5 ns —
Miller Clamp 7 A active Miller clamp —
Bootstrap Diode Integrated Integrated
UVLO VCC and VBS under-voltage lockout —
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C —
Encapsulamento PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm) SOIC-8
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant Compliant
Number of Drivers — 2 (high-side + low-side)
High-Side Voltage Tolerance — 600 V
Source Current (typical) — 0.2 A
Sink Current (typical) — 0.35 A
Turn-On Propagation Delay — 150 ns
Turn-Off Propagation Delay — 150 ns
Tempo de subida — 200 ns
Tempo de descida — 50 ns
Quiescent VCC Current — 1 mA
Input Logic Compatibility — 3.3 V / 5 V CMOS / TTL
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Temperatura de junção de operação — -40 C to +150 C

Fichas técnicas e recursos

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