2EDL8033G4CXTMA1 vs 2EDL5013U2DXTMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDL8033G4CXTMA1 por Infineon y 2EDL5013U2DXTMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Infineon
2EDL5013U2DXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 - 120V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

2EDL5013U2DXTMA1 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDL8033G4CXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,84 $0,85
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
Número de salidas 2 (HS + LS) —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated —
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulado PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
Estado RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Input Logic — Non-Inverting
Number of Channels — 2
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 3 A
Configuración de salida — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Bootstrap Voltage Rating — 120 V max
Rise Time (typ.) — 4.4 ns
Fall Time (typ.) — 3.5 ns
Miller Clamp — 7 A active Miller clamp
Bootstrap Diode — Integrated
UVLO — VCC and VBS under-voltage lockout

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