2EDL8033G4CXTMA1 vs 2EDL5013U2DXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDL8033G4CXTMA1 par Infineon et 2EDL5013U2DXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDL8033G4CXTMA1 2EDL5013U2DXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,84 $0,85
Product Type Half-Bridge Gate Driver IC —
Configuration High-Side / Low-Side, Non-Inverting —
Nombre de sorties 2 (HS + LS) —
Source Drive Current 3 A —
Sink Drive Current 4 A —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
VCC Supply Voltage 10 V to 20 V —
Logic Input Compatibility 3.3 V / 5 V CMOS / TTL —
Isolation Technology Junction-isolated —
Propagation Delay (Typ) 45 ns —
Channel-to-Channel Matching <10 ns —
Integrated Bootstrap Diode Yes —
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Boîtier PG-VDSON-10-2 (10-pin VDSON with exposed pad) PG-TSNP-12-5 (12-pin, 5x5 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Marking Code 2ED8033G4C —
Statut RoHS Compliant Compliant
Driver Configuration — High-Side, Low-Side (Half-Bridge)
Input Logic — Non-Inverting
Number of Channels — 2
Peak Source Current — 3 A
Peak Sink Current — 3 A
Configuration de sortie — Non-Inverting
Supply Voltage (VCC) — 4.5 V to 5.5 V
Bootstrap Voltage Rating — 120 V max
Rise Time (typ.) — 4.4 ns
Fall Time (typ.) — 3.5 ns
Miller Clamp — 7 A active Miller clamp
Bootstrap Diode — Integrated
UVLO — VCC and VBS under-voltage lockout

Fiches techniques et ressources

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