2EDN7534RXTMA1 vs 2EDN7533BXTSA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de 2EDN7534RXTMA1 por Infineon y 2EDN7533BXTSA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro 2EDN7534RXTMA1 2EDN7533BXTSA1
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,40 $0,51
Función Low-side gate driver —
Number of Channels 2 2
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) —
Configuración de salida Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C —
Encapsulado PG-TSSOP-8 PG-SOT23-6-1 (6-pin SOT-23, 2.9x1.6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Type — Dual-channel low-side gate driver IC
Logic Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Current — ±5 A
Supply Voltage (VDD) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Skew — [DATA_NEEDED: skew value]
Input Compatibility — LV-TTL, -12 V to +22 V absolute max tolerant
UVLO — Integrated under-voltage lockout
Output Clamping — Active gate voltage clamping
Rango de temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C

Hojas de datos y recursos

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