2EDN7534RXTMA1 vs 2EDN7533BXTSA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de 2EDN7534RXTMA1 par Infineon et 2EDN7533BXTSA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre 2EDN7534RXTMA1 2EDN7533BXTSA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,40 $0,51
Fonction Low-side gate driver —
Number of Channels 2 2
Peak Output Current (source/sink) 5 A / 5 A —
Supply Voltage (VCC) 4.5 V to 20 V —
Propagation Delay (typ) 19 ns —
Input Logic Compatibility LV-TTL —
Input Voltage Tolerance -12 V to +22 V (absolute max) —
Configuration de sortie Non-inverting —
Output Resistance (Ron) <1 ohm (typ) —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
Température de fonctionnement -40C to +125C —
Boîtier PG-TSSOP-8 PG-SOT23-6-1 (6-pin SOT-23, 2.9x1.6 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited) [DATA_NEEDED: MSL rating]
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Product Type — Dual-channel low-side gate driver IC
Logic Polarity — Inverting
Peak Source/Sink Current — ±5 A
Supply Voltage (VDD) — 4.5 V to 20 V
Propagation Delay (typ.) — 19 ns
Channel-to-Channel Skew — [DATA_NEEDED: skew value]
Input Compatibility — LV-TTL, -12 V to +22 V absolute max tolerant
UVLO — Integrated under-voltage lockout
Output Clamping — Active gate voltage clamping
Plage de température de fonctionnement — -40 C to +125 C

Fiches techniques et ressources

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