AS4C512M16D4A-62BIN vs AS4C512M16D4A-62BCNTR Comparación

Comparación detallada lado a lado de AS4C512M16D4A-62BIN por Alliance Memory y AS4C512M16D4A-62BCNTR por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Alliance Memory
AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

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AS4C512M16D4A-62BCNTR AS4C512M16D4A-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

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Comparación de especificaciones

Parámetro AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BCNTR
Marca Alliance Memory Alliance Memory
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $8,10 $8,10
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gbit 8 Gbit (512M x 16)
Organización de memoria 512M x 16 —
Clock Rate 1600 MHz 1600 MHz (DDR4-3200)
Velocidad de datos 3200 Mbps per pin 3200 MT/s
Tensión de alimentación 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Temperatura de funcionamiento -40°C to +95°C 0°C to +95°C (Commercial)
Encapsulado 96-FBGA (7.5x13mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Interfaz POD (Pseudo Open Drain) POD (Pseudo Open Drain)
Latencia CAS Programmable (e.g., 22 cycles) 18 ns
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh Auto-refresh and self-refresh
RoHS Compliant Compliant
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Lead Free Yes —
Moisture Sensitivity Level — 3 (168 Hours)
Write Cycle Time - Word, Page — 15 ns
Standard Pack — 1500/reel (Tape & Reel)

Hojas de datos y recursos

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