AS4C512M16D4A-62BIN vs AS4C512M16D4A-62BCNTR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von AS4C512M16D4A-62BIN von Alliance Memory und AS4C512M16D4A-62BCNTR von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

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AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BIN - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

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Spezifikationsvergleich

Parameter AS4C512M16D4A-62BIN AS4C512M16D4A-62BCNTR
Marke Alliance Memory Alliance Memory
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $8,10 $8,10
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Speichergröße 8 Gbit 8 Gbit (512M x 16)
Speicherorganisation 512M x 16 —
Clock Rate 1600 MHz 1600 MHz (DDR4-3200)
Datenrate 3200 Mbps per pin 3200 MT/s
Versorgungsspannung 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V) 1.14V ~ 1.26V (nominal 1.2V)
Betriebstemperatur -40°C to +95°C 0°C to +95°C (Commercial)
Gehäuse 96-FBGA (7.5x13mm) 96-FBGA (7.5x13 mm)
Schnittstelle POD (Pseudo Open Drain) POD (Pseudo Open Drain)
CAS-Latenz Programmable (e.g., 22 cycles) 18 ns
Burst Length 8 (with burst chop 4) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh Auto-refresh and self-refresh
RoHS Compliant Compliant
Montageart Surface Mount Surface Mount
Lead Free Yes —
Moisture Sensitivity Level — 3 (168 Hours)
Write Cycle Time - Word, Page — 15 ns
Standard Pack — 1500/reel (Tape & Reel)

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