BC817-40 vs BC817-40,215 Comparación
Comparación detallada lado a lado de BC817-40 por Nexperia y BC817-40,215 por Nexperia. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | BC817-40 | BC817-40,215 |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | Nexperia |
| Categoría | Transistors | Transistors |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,02 | $0,05 |
| Tipo de transistor | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) | NPN Bipolar (BJT) |
| Encapsulado | SOT-23 (TO-236AB), 3 pins | SOT-23 (TO-236AB) |
| Tensión colector-emisor (Vceo) | 45 V | 45 V |
| Tensión colector-base (Vcbo) | 50 V | 50 V |
| Tensión emisor-base (Vebo) | 5 V | 5 V |
| Continuous Collector Current (IC) | 500 mA | 500 mA |
| Peak Collector Current (ICM) | [DATA_NEEDED: ICM value] | [DATA_NEEDED: peak collector current] |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 310 mW | — |
| DC Current Gain (hFE) - -40 bin | 250 to 600 (at 100 mA, 1 V) | — |
| Frecuencia de transición (ft) | 100 MHz | 100 MHz |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) | 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base) | — |
| Base-Emitter Voltage (VBE) | [DATA_NEEDED: VBE typical] | — |
| Temperatura de unión de funcionamiento | -65 C to +150 C | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Nivel MSL | 1 | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Complementary PNP Part | BC807-40 | — |
| Disipación de potencia (Ptot) | — | 250 mW |
| DC Current Gain (hFE) - BC817-40 bin | — | 250 to 600 (at IC=100mA, VCE=1V) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | -65 C to +150 C (TJ) |
| JEDEC Package Standard | — | TO-236AB |
| Pin Configuration | — | Pin 1 Base / Pin 2 Emitter / Pin 3 Collector |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Lead-Free Reflow | — | Yes (260 C peak per J-STD-020) |