BC817-40 vs BC817-40,215 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de BC817-40 par Nexperia et BC817-40,215 par Nexperia. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | BC817-40 | BC817-40,215 |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | Nexperia |
| Catégorie | Transistors | Transistors |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,02 | $0,05 |
| Type de transistor | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) | NPN Bipolar (BJT) |
| Boîtier | SOT-23 (TO-236AB), 3 pins | SOT-23 (TO-236AB) |
| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | 45 V | 45 V |
| Tension collecteur-base (Vcbo) | 50 V | 50 V |
| Tension émetteur-base (Vebo) | 5 V | 5 V |
| Continuous Collector Current (IC) | 500 mA | 500 mA |
| Peak Collector Current (ICM) | [DATA_NEEDED: ICM value] | [DATA_NEEDED: peak collector current] |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 310 mW | — |
| DC Current Gain (hFE) - -40 bin | 250 to 600 (at 100 mA, 1 V) | — |
| Fréquence de transition (ft) | 100 MHz | 100 MHz |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) | 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base) | — |
| Base-Emitter Voltage (VBE) | [DATA_NEEDED: VBE typical] | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -65 C to +150 C | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Complementary PNP Part | BC807-40 | — |
| Dissipation de puissance (Ptot) | — | 250 mW |
| DC Current Gain (hFE) - BC817-40 bin | — | 250 to 600 (at IC=100mA, VCE=1V) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -65 C to +150 C (TJ) |
| JEDEC Package Standard | — | TO-236AB |
| Pin Configuration | — | Pin 1 Base / Pin 2 Emitter / Pin 3 Collector |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| Lead-Free Reflow | — | Yes (260 C peak per J-STD-020) |