BSC016N06NSATMA1 vs BSC014N06NSATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC016N06NSATMA1 por Infineon y BSC014N06NSATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC016N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,65 $0,89
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TA) 30 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.6 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 139 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 °C to +150 °C -55C to +150C
Encapsulado PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) PG-TDSON-8-17 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited) 1
Estado RoHS Compliant Compliant
Gate Drive (recommended) 10 V —
Technology OptiMOS™ 5 OptiMOS 5 (shielded-gate trench)
Product Family — OptiMOS 5
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/- 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 30 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V — 1.4 mOhm
On-Resistance RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.45 mOhm
Power Dissipation (Ta) — 2.5 W
Power Dissipation (Tc) — 156 W

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