BSC019N08NS5ATMA1 vs BSC109N10NS3GATMA1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de BSC019N08NS5ATMA1 por Infineon y BSC109N10NS3GATMA1 por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro BSC019N08NS5ATMA1 BSC109N10NS3GATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,78 $0,95
Manufacturer Infineon Technologies —
Technology OptiMOS 5 (N-channel trench) OptiMOS 3
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max 80 V —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 28 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 237 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 1.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 3.0 V —
Total Gate Charge Qg [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] —
Power Dissipation (TA=25C) 3 W —
Power Dissipation (TC=25C) 214 W —
Rango de temperatura de funcionamiento -55 C to +150 C -55C to +175C
Encapsulado PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 —
Estado RoHS Compliant Compliant
Avalanche Rated Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 63 A
Power Dissipation (PD, Tc) — 78 W
RDS(on) Max — 10.9 mOhm at VGS=10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Gate Charge (Qg) — 26 nC
Recuento de pines — 8
Avalanche Energy Rated — Yes
Lead-Free — Yes

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