BSC019N08NS5ATMA1 vs BSC109N10NS3GATMA1 比較
詳細な並列比較: BSC019N08NS5ATMA1 メーカー: Infineon および BSC109N10NS3GATMA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | BSC019N08NS5ATMA1 | BSC109N10NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| ブランド | Infineon | Infineon |
| カテゴリ | MOSFETs | MOSFETs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $1.78 | $0.95 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Technology | OptiMOS 5 (N-channel trench) | OptiMOS 3 |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 28 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 237 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 1.9 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg] | — |
| Power Dissipation (TA=25C) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC=25C) | 214 W | — |
| 動作温度範囲 | -55 C to +150 C | -55C to +175C |
| パッケージ | PG-TSON-8-3 (SuperSO8 5x6 mm) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSLレベル | 1 | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 63 A |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 78 W |
| RDS(on) Max | — | 10.9 mOhm at VGS=10 V |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Gate Charge (Qg) | — | 26 nC |
| ピン数 | — | 8 |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| Lead-Free | — | Yes |